2025年11月，科技圈传来一个令人震惊的消息：全球内存价格在短短半年内暴涨45%，三星、SK海力士等巨头突然宣布停产DDR4内存，转向生产更高利润的DDR5和HBM内存。这一决定引发了连锁反应，苹果iPhone Air、英伟达RTX 5070显卡、OpenAI GPT-5等多款重磅产品纷纷推迟发布。更让人担忧的是，行业专家警告称，这场内存危机可能才刚刚开始，涨价趋势可能会持续到2030年。
近年来，人工智能技术的飞速发展带来了对高性能计算的巨大需求。据行业数据显示，单台AI服务器对DRAM内存的需求是普通服务器的8倍之多。OpenAI的"星际之门"项目每月就需要消耗90万片DRAM晶圆，占全球总产量的40%左右。这种爆发式增长直接导致了内存供应的紧张。
HBM（高带宽内存）作为AI服务器的核心组件，其需求更是呈指数级增长。据TrendForce预测，HBM市场规模将从2024年的170亿美元增长到2030年的980亿美元，年复合增长率高达33%。这种增长速度远远超出了行业的预期和产能扩张能力。
面对HBM和DDR5的巨大利润诱惑，全球内存巨头纷纷调整产能布局。三星电子已停止接受DDR4新订单，并计划在2025年12月完成最后出货。SK海力士则将DDR4产能压缩至20%，计划2026年4月全面停产。美光科技也宣布第四季度停止DDR4供应，仅保留工业定制化订单。
这一系列减产措施导致DDR4内存供应急剧减少。据统计，DDR4目前占全球DRAM市场约20%，主要用于PC、电视、网通设备等领域。产能的突然收缩与持续的市场需求形成尖锐矛盾，直接推动了价格的飙升。
全球DRAM产能利用率已达到95%的历史高位，但仍难以满足市场需求。据瑞银预测，2025年DRAM位需求增长20.6%，2026年增长19.1%。而供给端的增长却远远跟不上，主要内存厂商的扩产计划都相对保守。
三星计划在2025年将P4L厂产能提升至6万片/月，2026年P3L厂提升至11.5万片/月。SK海力士M15X工厂2025年底投产，主打HBM4。美光则计划在纽约州建设Mega工厂，专注HBM生产。这些新增产能要到2026年后才能逐步释放，短期内难以缓解供需矛盾。
原计划2025年9月发布的苹果iPhone Air被迫推迟至2026年初。据供应链消息，内存成本的大幅上涨是推迟的主要原因之一。iPhone Air原计划搭载6GB LPDDR5内存和128GB NAND闪存，但内存价格的暴涨使得苹果不得不重新评估产品定价策略。
业内人士分析，iPhone Air的BOM成本因此增加了约15%，如果维持原定价，苹果的利润率将受到严重挤压。此次推迟发布，反映出内存危机已经开始影响消费电子巨头的产品战略。
英伟达原计划2025年10月发布的RTX 5070显卡也宣布推迟至2026年第一季度。据了解，该显卡采用的GDDR7显存供应出现严重短缺，导致生产计划被迫调整。
业内人士透露，GDDR7显存的产能大部分被用于AI服务器，留给消费级显卡的份额非常有限。这一情况不仅影响了RTX 5070，整个RTX 50系列显卡的生产都面临挑战。显存供应紧张可能会持续到2026年下半年，给游戏玩家带来不小的困扰。
OpenAI的GPT-5大模型训练计划也因内存短缺而受阻。据知情人士透露，GPT-5的训练需要大量高性能内存支持，但目前HBM内存的供应无法满足需求。
OpenAI原本计划在2026年初完成GPT-5的训练并发布，但现在看来可能要推迟至少半年。这一延迟不仅影响了OpenAI的产品路线图，也可能延缓整个AI行业的发展速度。
行业专家预测，HBM（高带宽内存）将成为未来几年内存市场的主要增长点。据TrendForce数据，HBM市场规模将从2024年的170亿美元增长到2030年的980亿美元，年复合增长率高达33%。到2030年，HBM可能占据整个DRAM市场的50%以上份额。
这一趋势主要由AI服务器需求驱动。随着大语言模型和生成式AI的快速发展，对高带宽、低延迟内存的需求将持续增长。三星、SK海力士和美光等巨头都在加大HBM产能投入，但由于技术门槛高，产能扩张速度有限。
多位行业分析师表示，内存市场的供需失衡可能会持续到2030年。一方面，AI、云计算、元宇宙等新兴技术的发展将继续推动内存需求快速增长；另一方面，主要厂商的产能扩张计划相对保守，且技术升级（如从DDR4到DDR5，从HBM3到HBM4）需要时间。
瑞银集团预测，DRAM价格上涨周期将至少延长至2027年第一季度。TrendForce则指出，2026年DRAM整体供给与需求预计存在近3个百分点的缺口。这种供需缺口将支撑内存价格在未来几年维持高位运行。
面对全球内存市场的紧张局势，中国存储企业迎来了加速发展的机遇。长鑫存储已实现DDR4和DDR5内存的量产，正在追赶国际先进水平。长江存储在NAND闪存领域也取得突破，296层3D NAND已进入风险量产阶段。
虽然在高端HBM领域，国内企业与三星、SK海力士等还有差距，但在DDR4、DDR5等主流产品上，国产替代正在加速。随着产能的提升和技术的进步，国产存储有望在未来3-5年内实现更大突破，为全球内存市场供需平衡做出贡献。
对于普通消费者而言，面对内存价格上涨，应保持理性，避免恐慌性购买。如果现有设备能够满足需求，可以暂时推迟升级计划。如需购买新设备，建议选择配置适中的产品，避免盲目追求高配置。
另外，可以考虑选择搭载国产存储芯片的设备，不仅价格相对亲民，还能支持国内产业发展。在购买内存条等配件时，建议选择正规渠道，注意辨别真伪，避免购买到假冒伪劣产品。关注电商大促节点（如618、双11）采购，选择内存可升级设备延长使用周期。
对于企业用户，尤其是数据中心运营商和电子设备制造商，应积极优化供应链管理。可以考虑与内存厂商签订长期供应协议，锁定价格和产能。同时，加强库存管理，避免过度囤货，以降低成本压力。采用内存租赁模式降低初期投入。
在技术层面，企业可以考虑采用内存优化技术，如数据压缩、内存虚拟化等，提高内存使用效率。对于AI和大数据企业，应提前规划内存需求，与供应商建立战略合作关系，确保关键项目不受内存短缺影响。与云服务商签订弹性算力合约应对峰值需求。
面对内存市场的新挑战，整个行业需要加强技术创新，推动内存产业升级。一方面，加快HBM、DDR5等先进内存技术的研发和量产；另一方面，探索新的存储技术路线，如存算一体、非易失性内存等，以应对未来的数据存储需求。
同时，产业链各方应加强合作，共同应对产能短缺问题。政府和企业应加大对内存产业的投资，培养专业人才，提升自主创新能力，推动全球内存市场的健康发展。
总之，当前的内存危机既是挑战也是机遇。对于消费者和企业而言，需要理性应对，积极调整策略；对于整个行业而言，需要加强创新，推动技术进步。只有这样，才能在这场内存价格上涨周期中稳健前行，为数字经济的持续发展提供有力支撑。
—— 转载 《安通数科》
上一篇： DR4内存现货价格持续飙涨。
下一篇：没有了
